MPQ18024HN-AEC1-LF-Z
MPQ18024HN-AEC1-LF-Z
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- 品牌名称
- MPS(芯源)
- 商品型号
- MPQ18024HN-AEC1-LF-Z
- 商品编号
- C6097503
- 商品封装
- SOICE-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 5.9A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 9V~16V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管;交错导通保护;死区时间控制 |
商品概述
MPQ18024 是一款高频、100V 半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制,时间延迟匹配小于 5ns。高端和低端电源的欠压锁定 (UVLO) 功能在电源不足时会强制其输出为低电平。集成的自举二极管减少了外部元件数量。
商品特性
- 保证工业/汽车温度范围限制
- 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
- 100V VBST 电压范围
- 片上自举二极管
- 典型传播延迟为 20ns
- 栅极驱动匹配小于 5ns
- 在 12V VDD 下,驱动 2.2nF 负载时上升时间为 15ns,下降时间为 12ns
- TTL 兼容输入
- 静态电流小于 160μA
- 高端和低端均具备 UVLO 功能
- 采用 SOIC-8E 封装
- 符合 AEC-Q100 1 级标准
应用领域
- 汽车 DC/DC 电源系统
- 半桥电机驱动器


