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MPQ6528GVE-AEC1-Z实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPQ6528GVE-AEC1-Z

5V至60V H桥栅极驱动器,符合AEC-Q100标准

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描述
MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC,可在 5V 至 60V 宽输入电压(VIN)范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源(VREG),自举(BST)电容为高端 MOSFET(HS-FET)驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下,内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护(SCP)、过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)保护、可调死区时间(DT)控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28(4mmx5mm)封装。
品牌名称
MPS(芯源)
商品型号
MPQ6528GVE-AEC1-Z
商品编号
C6097576
商品封装
QFN-28(4x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1A
属性参数值
拉电流(IOH)800mA
工作电压5V~60V
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP);短路保护(SCP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+150℃
静态电流(Iq)1.8mA

商品概述

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC,可在 5V 至 60V 宽输入电压(VIN)范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。 该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源(VREG),自举(BST)电容为高端 MOSFET(HS-FET)驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下,内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。 完整的保护功能包括可配置的短路保护(SCP)、过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)保护、可调死区时间(DT)控制和热关断。 MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28(4mmx5mm)封装。

商品特性

  • 5V 至 60V 宽输入电压(VIN)范围
  • 电荷泵栅极驱动电源
  • 带涓流充电电路的自举(BST)高端 MOSFET(HS FET)驱动器,可实现 100%占空比运行
  • 低功耗睡眠模式
  • 可配置的短路保护(SCP)
  • 过流保护(OCP)
  • 欠压锁定(UVLO)保护
  • 可调死区时间(DT)控制,防止直通
  • 热关断
  • 故障指示输出
  • 散热增强型表面贴装封装
  • 提供 QFN-28(4mmx5mm)封装
  • 提供可焊侧翼封装
  • 符合 AEC-Q100 1 级标准

应用领域

  • 有刷直流电机
  • 汽车执行器
  • 开门器
  • 音频放大器
  • 电源转换器

数据手册PDF