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IXFY30N25X3引脚图
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IXFY30N25X3

IXFY30N25X3

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商品型号
IXFY30N25X3
商品编号
C6069305
商品封装
TO-252AA​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21nC
输入电容(Ciss)1.45nF
反向传输电容(Crss)1pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)266pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆,结合了一流的性能和最先进的易用性,这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF