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IXTP1N80P引脚图
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IXTP1N80P

IXTP1N80P

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商品型号
IXTP1N80P
商品编号
C6069386
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))10Ω@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9nC
输入电容(Ciss)250pF
反向传输电容(Crss)5.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)22pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

-国际标准封装-快速本征整流器-雪崩额定-低封装电感-易于安装-节省空间-高功率密度

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-直流-直流转换器-激光驱动器-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制

数据手册PDF