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IXTR140P10T实物图
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IXTR140P10T

IXTR140P10T

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商品型号
IXTR140P10T
商品编号
C6069409
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)270W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)400nC@10V
反向传输电容(Crss)700pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 硅芯片置于直接敷铜(DCB)基板上
  • 隔离安装面
  • 2500V~电气隔离
  • 雪崩额定
  • 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
  • 快速本征二极管
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用

数据手册PDF