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IXTY02N120P
N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，采用国际标准封装，具有低QG、低封装电感和快速本征整流器特性
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- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- IXTY02N120P
- 商品编号
- C6069436
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 104pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 国际标准封装
- 低栅极电荷(QG)
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-直流-直流转换器-开关模式和谐振模式电源-交流和直流电机驱动器-激光驱动器、点火器、射频发生器-机器人技术和伺服控制