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IXTY02N120P

IXTY02N120P

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商品型号
IXTY02N120P
商品编号
C6069436
商品封装
TO-252AA​
包装方式
管装
商品毛重
0.84克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

商品特性

  • 15.6 A、250 V,漏源导通电阻RDS(on)最大值为270 mΩ,条件为栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 7.8 A
  • 低栅极电荷(典型值41 nC)
  • 反向传输电容Crss典型值为68 pF
  • 经过100%雪崩测试

应用领域

-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器

数据手册PDF