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IXTQ30N50L2引脚图
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IXTQ30N50L2

IXTQ30N50L2

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商品型号
IXTQ30N50L2
商品编号
C6069403
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)400W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)240nC
输入电容(Ciss)8.1nF
反向传输电容(Crss)115pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)530pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术,可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。

商品特性

  • 专为线性操作设计
  • 采用国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值。模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 集成栅极电阻,便于并联
  • 保证75°C时的正向偏置安全工作区(FBSOA)

应用领域

-固态断路器-软启动控制-线性放大器-可编程负载-电流调节器

数据手册PDF