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IXTQ30N50L2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTQ30N50L2

IXTQ30N50L2

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商品型号
IXTQ30N50L2
商品编号
C6069403
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术,可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。

商品特性

  • VDS = 85 V,VGS = 10 V、ID = 118 A时,Rds(on) < 6.5 mΩ(典型值:5.4 mΩ)
  • 快速开关
  • 低导通电阻(RDS(on) ≤ 6.5 mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 高雪崩耐用性
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

  • 开关应用
  • 电机驱动器

数据手册PDF