IRF840LCLPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF840LCLPBF
- 商品编号
- C6062433
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列低电荷功率MOSFET的栅极电荷明显低于传统功率MOSFET。采用新型LCDMOS(低电荷器件功率MOSFET)技术,在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升,从而降低了栅极驱动要求并节省了系统总成本。此外,在各种高频应用中可降低开关损耗并提高效率。使用新型低电荷功率MOSFET可在大电流条件下实现数MHz的频率。
这些器件的改进与功率MOSFET所具有的经证实的坚固性和可靠性相结合,为设计人员提供了一种适用于开关应用的新型功率晶体管标准。
商品特性
-超低栅极电荷-降低栅极驱动要求-增强型30 V VGS额定值-降低Ciss、Coss、Crss-极高频操作-重复雪崩额定值