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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9Z14LPBF

1个P沟道 耐压:60V 电流:6.7A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF9Z14LPBF
商品编号
C6062435
商品封装
I2PAK​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)3.7W;43W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)270pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D2PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中,它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。 通孔版本(IRF9Z14L、SiHF9Z14L)适用于薄型应用。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装
  • 薄型通孔
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • P沟道
  • 全雪崩额定

应用领域

  • DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制

数据手册PDF