IRF9Z14LPBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9Z14LPBF
- 商品编号
- C6062435
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 直接铜键合（Direct-Copper-Bond）基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低漏极至散热片电容（<30pF）
- 低RDS（on）的HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 具备非钳位电感开关（UIS）额定值
- 快速本征整流器
应用领域
- DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制