IRL630STRRPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRL630STRRPBF
- 商品编号
- C6062458
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母隔板。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 工作温度150°C
- 材料分类:有关合规性定义,请参阅www.vishay.com/doc?99912