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IRFR420TRPBF-BE3实物图
  • IRFR420TRPBF-BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR420TRPBF-BE3

1个N沟道 耐压:500V 电流:1.5A

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描述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR420TRPBF-BE3
商品编号
C6062444
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)92pF

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR420、SiHFR420)-直引脚(IRFU420、SiHFU420)-提供卷带包装-快速开关-易于并联

数据手册PDF