CY15B104QN-50SXA

EXCELON Auto CY15X104QN 是一款汽车级 4Mb 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，其读写操作类似于 RAM。它提供 151 年的可靠数据保存，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 EEPROM 不同，CY15X104QN 以总线速度执行写操作，无写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供极高的写入耐久性。CY15X104QN 能够支持 10^14 次读写周期，比 EEPROM 多 1000 万次写入周期。这些特性使 CY15X104QN 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。例如，从写入次数可能至关重要的数据收集，到串行闪存或 EEPROM 的长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制。CY15X104QN 为串行 EEPROM 或闪存用户提供了作为硬件直接替换的显著优势。CY15X104QN 使用高速 SPI 总线，增强了 F-RAM 技术的高速写入能力。该器件包含只读设备 ID 和 ID 功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品修订版和每个部件的 ID。该器件还提供可写的 8 字节序列号寄存器，可用于识别特定板卡或系统。

• 4Mb 铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为 512K × 8
• 几乎无限的耐久性，达 100 万亿（10^14）次读写周期
• 151 年数据保存
• 即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速串行外设接口（SPI）
• 频率高达 50 MHz
• 支持 SPI 模式 0（0, 0）和模式 3（1, 1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚的硬件保护
• 使用写禁用（WRDI）指令的软件保护
• 软件块保护，支持 1/4、1/2 或整个阵列
• 设备 ID 和序列号
• 设备 ID 包括制造商 ID 和产品 ID
• ID
• 序列号
• 专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
• 专用的特殊扇区写入和读取
• 存储内容可承受多达 3 次标准回流焊接周期
• 低功耗
• 在 1 MHz 下，典型工作电流为 400 μA
• 在 40 MHz 下，典型工作电流为 3.7 mA
• 典型待机电流为 2.7 μA
• 典型深度掉电模式电流为 1.1 μA
• 典型休眠模式电流为 0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V104QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B104QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
• 汽车-A 级工作温度：-40°C 至 +85°C
• 符合 AEC-Q100 3 级标准
• 8 引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准

• 数据采集
• 工业控制