CY15B116QI-20BKXCT

EXCELON™ LP CY15X116QI 是一款采用先进铁电工艺的低功耗 16 Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器是一种非易失性存储器，能够像 RAM 一样执行读写操作。该存储器提供 151 年的可靠数据保留时间，并解决了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 EEPROM 不同，CY15X116QI 以总线速度执行写入操作，且不会引入写入延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储器阵列，此时可以开始下一个总线周期而无需进行数据轮询。此外，该产品相比其他非易失性存储器提供了更高的写入次数，能够支持高达 10^15 次的读写周期，其写入次数是 EEPROM 的十亿倍。这些特性使得 CY15X116QI 非常适合需要频繁或快速写入操作的非易失性存储器应用，例如从数据收集到工业控制等领域。作为串行 EEPROM 或闪存的直接硬件替代品，CY15V116QI 为用户带来了显著优势。它采用高速 SPI 总线，从而提升了铁电随机存取存储器技术的高速写入能力。该器件包含只读的器件标识和标识特性，主机可通过这些特性确定每个器件的制造商、产品容量、产品版本和标识。器件还提供可写的 8 字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

• 16 Mb 铁电随机存取存储器，逻辑结构为 2048 K × 8
• 提供高达 10^15 次的读写周期，具备近乎无限的耐用性
• 151 年数据保留时间
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 基于高可靠性先进铁电工艺
• 快速串行外设接口，频率高达 20 MHz
• 支持 SPI 模式 0 (0,0) 和模式 3 (1,1)
• 精密的写入保护方案：通过写保护引脚提供硬件保护，通过写禁用指令提供软件保护，可对 1/4、1/2 或整个阵列进行软件块保护
• 具备器件标识和序列号：制造商标识、产品标识、器件标识以及序列号
• 专用的 256 字节特殊扇区铁电随机存取存储器：支持专用的特殊扇区读写操作，存储内容可在多达 3 个标准回流焊周期内保持不变
• 低功耗：在 20 MHz 频率下，工作电流典型值为 1.50 mA；待机电流典型值为 14 μA；深度掉电模式电流典型值为 1.10 μA；休眠模式电流典型值为 0.1 μA；上电时浪涌电流典型值为 1.90 mA
• 低电压操作：CY15V116QI 工作电压范围为 1.71 V ~ 1.89 V；CY15B116QI 工作电压范围为 1.8 V ~ 3.6 V
• 商业级工作温度范围：0 ℃ ~ +70 ℃
• 采用 24 球细间距球栅阵列封装
• 符合有害物质限制标准