CY15V102QN-50LHXIT

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15V102QN-50LHXIT
商品编号: C6009984
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

该器件是一款低功耗、2Mb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器具有非易失性，读写操作类似于RAM。它在提供151年可靠数据保持的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该器件以总线速度执行写操作，无写入延迟。数据在成功传输至器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供极高的写入耐久性，能够支持10^15次读/写周期，比EEPROM多10亿倍写入次数。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择，例如从写入次数可能至关重要的数据采集，到对写入时间要求苛刻的工业控制领域。该器件作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。它采用高速SPI总线，增强了铁电存储器技术的高速写入能力。器件包含只读器件ID和ID功能，允许主机识别制造商、产品密度、产品版本和每个部件的ID。器件还提供一个可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

商品特性

2Mb铁电随机存取存储器，逻辑组织为256K × 8
几乎无限的耐久性，达1000万亿次读写周期
151年数据保持时间
英飞凌即时非易失性写入技术
先进的高可靠性铁电工艺
高速SPI接口
频率高达50 MHz
支持SPI模式0和模式3
完善的写保护方案
使用写保护引脚的硬件保护
使用写禁用指令的软件保护
针对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
器件ID和序列号
器件ID包含制造商ID和产品ID
ID
序列号
专用的256字节特殊扇区铁电存储器
专用的特殊扇区写入和读取
存储内容可承受多达三次标准回流焊循环
低功耗
40 MHz下典型工作电流为2.4 mA
典型待机电流为2.3 μA
典型深度掉电模式电流为0.70 μA
典型休眠模式电流为0.1 μA
低电压工作
CY15V102QN：VDD = 1.71 V ~ 1.89 V
CY15B102QN：VDD = 1.8 V ~ 3.6 V
工业级工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
封装选项
8引脚小外形集成电路封装
8引脚薄型双扁平无引线封装
8引脚塑料双列直插式封装
符合有害物质限制指令

应用领域

数据采集
工业控制

数据手册PDF

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