CY15V102QN-50LHXI

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15V102QN-50LHXI
商品编号: C6009982
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.254克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

EXCELON LP CY15X102QN是一款低功耗、2Mb的非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，读写操作类似于RAM。它在提供151年数据保持的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该器件以总线速度执行写操作，没有写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，该产品相比其他非易失性存储器具有更高的写入耐久性，支持10^15次读写周期。这些特性使其非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。该器件还提供只读器件ID和ID功能，以及可写的8字节序列号寄存器。

商品特性

2Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为256K × 8
极高的耐久性，支持10^15次读写周期
151年数据保持
无延迟写入技术
高速SPI接口，频率最高达50 MHz，支持SPI模式0和模式3
完善的写保护方案：支持硬件写保护引脚、软件写禁用指令，以及1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
器件ID与序列号：包含制造商ID、产品ID、ID和序列号
专用256字节特殊扇区F-RAM，其存储内容可承受三次标准回流焊接周期
低功耗：40 MHz下典型工作电流为2.4 mA，待机电流为2.3 µA，深度掉电模式电流为0.70 µA，休眠模式电流为0.1 µA
宽电压工作：CY15V102QN支持1.71 V至1.89 V，CY15B102QN支持1.8 V至3.6 V
工业级工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
封装：8引脚SOIC、8引脚薄型DFN、8引脚PDIP
符合有害物质限制（RoHS）标准

应用领域

数据采集
工业控制
需要频繁或快速写入的非易失性存储应用
作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替换方案
需要器件识别或序列号管理的系统

数据手册PDF

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