AOD516
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A 停产
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- 品牌名称AOS
商品型号
AOD516商品编号
C68256商品封装
TO-252-2(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.463克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 18A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,20A | |
功率(Pd) | 2.5W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),46A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1229pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),46A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1229pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
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