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AOD516
停产 1个N沟道 耐压:30V
- 描述
- 采用最新的沟槽功率MOSFET技术。在4.5V VGS时具有极低的RDS(on)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD516
- 商品编号
- C68256
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.463克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.333nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 输出电容(Coss) | 512pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta），46A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1229pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta），46A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1229pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单