HMC524ALC3BTR-R5

一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）正交（I/Q）混频器，采用无铅、符合RoHS标准的表面贴装（SMT）陶瓷封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。混频器采用两个标准的双平衡混频单元和一个90°混合耦合器，通过砷化镓金属-半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造。低频正交混合器可产生100 MHz的中频输出。与混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件相比，该器件体积小得多。它无需引线键合，可采用表面贴装制造技术。

• 无源：无需直流偏置
• 转换损耗：9 dB（典型值）
• 镜像抑制：20 dB（典型值）
• 本振到射频隔离度：35 dB（典型值）
• 本振到中频隔离度：25 dB（典型值）
• 三阶交调截点（IP3）：18 dBm（典型值）
• 1 dB压缩点（P1dB）：17 dBm（典型值）
• 中频引脚频率：直流 - 4.5 GHz
• 12引脚、3 mm×3 mm SMT陶瓷封装

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和甚小口径终端（VSAT）
• 测试设备和传感器