HMC8192LGTR
20 GHz至42 GHz，宽带I/Q混频器
- 描述
- HMC8192LGTR是一款被动、宽带、I/Q单片微波集成电路(MMIC)混频器，可作为接收器的镜像抑制混频器或发射器的单边带上变频器。其RF和LO范围为20 GHz到42 GHz，IF带宽为dc到5 GHz。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8192LGTR
- 商品编号
- C662756
- 商品封装
- LGA-25(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| 增益/损耗 | 9dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 12dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC8192LG 是一款无源宽带同相/正交 (I/Q) 单片微波集成电路 (MMIC) 混频器，既可用作接收操作的镜像抑制混频器，也可用作发射操作的单边带上变频器。该混频器的射频 (RF) 和本振 (LO) 范围为 20 GHz 至 42 GHz，中频 (IF) 带宽为直流至 5 GHz，适用于需要宽频率范围、卓越射频性能以及简单设计的应用，减少了组件数量和印刷电路板 (PCB) 的占用空间。一个 HMC8192LG 可以替代设计中的多个窄带混频器。
HMC8192LG 固有的 I/Q 架构提供了出色的镜像抑制能力，无需昂贵的滤波器来消除不需要的边带。该混频器还提供优秀的 LO 到 RF 和 LO 到 IF 隔离，并减少 LO 泄漏的影响，确保信号完整性。
作为无源混频器，HMC8192LG 不需要任何直流电源。与有源混频器相比，HMC8192LG 提供更低的噪声系数，确保高性能和高精度应用所需的优越动态范围。
HMC8192LG 采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造，并使用 Analog Devices, Inc. 的混频器单元和 90° 混合器。HMC8192LG 采用紧凑的 4.00 mm x 4.00 mm、25 引脚栅格阵列腔体 (LGA_CAV) 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。HMC8192LG 的评估板 EV1HMC8192LG 也可以在 Analog Devices 网站上获取。
应用领域
- 测试和测量仪器仪表
- 微波点对点基站