HMC558ALC3BTR-R5
GaAs MMIC基波混频器,5.5 - 14.0 GHz
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- 描述
- HMC558A是一款通用双平衡混频器,封装在无引脚RoHS合规的SMT封装中,可用作5.5 GHz至14 GHz之间的上变频器或下变频器。该混频器采用GaAs MESFET工艺制造,无需外部元件或匹配电路。HMC558A由于优化的巴伦结构,提供了出色的LO到RF和LO到IF隔离,并可在低至9 dBm的LO驱动电平下工作。RoHS合规的HMC558A消除了键合线的需求,兼容高容量表面贴装制造技术。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC558ALC3BTR-R5
- 商品编号
- C662633
- 商品封装
- QFN-12-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1441克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 5.5GHz~14GHz | |
| IF频率范围 | 0MHz~6GHz | |
| LO频率范围 | 5.5GHz~14GHz | |
| P1dB | 11.5dBm | |
| IP3 | 21dBm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-R) | 45dB | |
| 隔离度(L-I) | 45dB | |
| 增益/损耗 | 7.5dB | |
| 噪声系数 | 7.5dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC558A是一款通用的双平衡混频器,采用无引脚且符合RoHS标准的SMT封装,可在5.5 GHz至14 GHz之间用作上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部组件或匹配电路。
由于优化了巴伦结构,HMC558A提供了优异的LO到RF和LO到IF隔离性能,并能在低至9 dBm的LO驱动电平下工作。符合RoHS标准的HMC558A消除了对引线键合的需求,并与大批量表面贴装制造技术兼容。
应用领域
- 点对点微波无线电
- 点对多点无线电
- 仪器、自动测试设备(ATE)和传感器
优惠活动
购买数量
(500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个500个/圆盘
总价金额:
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