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HMC1063LP3ETR
GaAs MMIC I/Q混频器，24 - 28 GHz
- 描述
- HMC1063LP3E 是一款紧凑型 I/Q MMIC 混频器，采用无铅 SMT 封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器利用两个标准 Hittite 双平衡混频器单元和一个 90 度混合器，采用 GaAs Schottky 二极管工艺制造。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC1063LP3ETR
- 商品编号
- C662540
- 商品封装
- QFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| 增益/损耗 | 9.5dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q单片微波集成电路混频器，采用无引脚“无铅”表面贴装封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准的Hittite双平衡混频器单元和一个在GaAs肖特基二极管工艺中制造的90度混合器。使用低频正交混合器产生1000 MHz的LSB中频输出。与混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件相比，该产品体积更小。HMC1063LP3E无需引线键合，并允许使用表面贴装制造技术。
应用领域
- 点对点和点对多点无线电
- 卫星通信
- 传感器