HMC8411LP2FETR

HMC8411LP2FE是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。 HMC8411LP2FE典型增益为15.5 dB，典型噪声系数为1.7 dB，典型输出三阶截点（OIP3）为34 dBm，在5 V电源电压下仅需55 mA电流。典型饱和输出功率（P_SAT）为19.5 dBm，使该低噪声放大器（LNA）可作为亚德诺半导体（Analog Devices, Inc.）众多平衡、同相/正交（I/Q）或镜像抑制混频器的本振（LO）驱动器。 HMC8411LP2FE还具备内部匹配至50 Ω的输入和输出端口，非常适合基于表面贴装技术（SMT）的大容量微波无线电应用。 HMC8411LP2FE采用符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装。

• 低噪声系数：典型值1.7 dB
• 单正电源（自偏置）
• 高增益：典型值15.5 dB
• 高OIP3：典型值34 dBm
• 6引脚、2 mm×2 mm LFCSP封装

• 测试仪器