HMC8411TCPZ-EP-R7
0.01 GHz至10 GHz低噪声放大器
- 描述
- HMC8411TCPZ-EP是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。该器件具有内部匹配的50欧姆输入和输出，适用于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8411TCPZ-EP-R7
- 商品编号
- C662232
- 商品封装
- LFCSP-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 10MHz~10GHz | |
| 增益 | 14dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 2dB | |
| 工作电压 | 2V~6V | |
| 工作电流 | 55mA |
商品概述
这是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。 它的典型增益为15.5 dB，典型噪声系数为1.7 dB，典型输出三阶截点（OIP3）为34 dBm，在5 V电源电压下仅需55 mA电流。典型饱和输出功率（PSAT）为19.5 dBm，使这款低噪声放大器（LNA）能够作为许多平衡、同相/正交（I/Q）或镜像抑制混频器的本地振荡器（LO）驱动器。 其输入和输出内部匹配至50 Ω，非常适合基于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。 该器件采用符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装。
商品特性
- 低噪声系数：典型值1.7 dB
- 单正电源（自偏置）
- 高增益：典型值15.5 dB
- 高OIP3：典型值34 dBm
- 6引脚、2 mm×2 mm LFCSP封装
应用领域
- 测试仪器