HMC637BPM5ETR

GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器

描述: HMC637BPM5E 是一款基于砷化镓 (GaAs) 的单片微波集成电路 (MMIC)，采用伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 和级联分布式架构的射频功率放大器。该器件在自偏置模式下工作，具有 15.5 dB 的典型增益，3.5 dB 的噪声系数，以及 28 dBm 的 1 dB 增益压缩输出功率。其输入/输出端口匹配到 50 Ω，工作频率范围从直流到 7.5 GHz。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC637BPM5ETR
商品编号: C662305
商品封装: QFN-32-EP(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

商品概述

HMC637BPM5E是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）共源共栅分布式功率放大器。该器件在正常工作时为自偏置，具备可选偏置控制功能，可用于静态电流（IDQ）调节以及二阶截点（IP2）和三阶截点（IP3）优化。该放大器工作频率范围为直流至7.5 GHz，小信号增益为15.5 dB，在1 dB增益压缩点的输出功率为28 dBm，典型输出IP3为39 dBm，噪声系数为3.5 dB，在12 V电源电压（VDD）下的电流为345 mA。从直流到7.5 GHz，增益平坦度极佳，典型值为±0.5 dB。HMC637BPM5E还具备内部匹配至50 Ω的输入/输出（I/O）端口，采用符合RoHS标准的5 mm×5 mm预模压腔体引线框架芯片级封装（LFCSP），使该器件适用于大批量表面贴装技术（SMT）组装设备。

商品特性

P1dB输出功率：典型值28 dBm
增益：典型值15.5 dB
输出IP3：典型值39 dBm
在VDD = 12 V时典型电流为345 mA，自偏置
可通过VGG1进行可选偏置控制以调节IDQ
可通过VGG2进行可选偏置控制以优化IP2和IP3
输入/输出匹配50 Ω
32引脚、5 mm×5 mm LFCSP封装：25 mm²

应用领域

测试仪器

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	属性	参数值
	商品目录	RF放大器
	频率	0GHz~7.5GHz
	增益	15.5dB
	噪声系数	3.5dB
	工作电压	8V~13V
	工作电流	345mA

	属性	参数值
	P1dB	28dBm
	工作温度	-55℃~+85℃
	输入回波损耗	15dB
	输出回波损耗	15dB
	IP3	39dBm
	功能特性	偏置控制电路