HMC637BPM5ETR

HMC637BPM5E是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）共源共栅分布式功率放大器。该器件在正常工作时为自偏置，具备可选偏置控制功能，可用于静态电流（IDQ）调节以及二阶截点（IP2）和三阶截点（IP3）优化。该放大器工作频率范围为直流至7.5 GHz，小信号增益为15.5 dB，在1 dB增益压缩点的输出功率为28 dBm，典型输出IP3为39 dBm，噪声系数为3.5 dB，在12 V电源电压（VDD）下的电流为345 mA。从直流到7.5 GHz，增益平坦度极佳，典型值为±0.5 dB。HMC637BPM5E还具备内部匹配至50 Ω的输入/输出（I/O）端口，采用符合RoHS标准的5 mm×5 mm预模压腔体引线框架芯片级封装（LFCSP），使该器件适用于大批量表面贴装技术（SMT）组装设备。

• P1dB输出功率：典型值28 dBm
• 增益：典型值15.5 dB
• 输出IP3：典型值39 dBm
• 在VDD = 12 V时典型电流为345 mA，自偏置
• 可通过VGG1进行可选偏置控制以调节IDQ
• 可通过VGG2进行可选偏置控制以优化IP2和IP3
• 输入/输出匹配50 Ω
• 32引脚、5 mm×5 mm LFCSP封装：25 mm²

• 测试仪器