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HMC903LP3ETR

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6 GHz至17 GHz

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描述: HMC903LP3E是一款自偏置的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），具有伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）结构，是一种低噪声放大器（LNA）。它提供18.5 dB的小信号增益和1.7 dB的噪声系数，适用于6 GHz至17 GHz的频率范围。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC903LP3ETR
商品编号: C661910
商品封装: LFCSP-16-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.256克(g)

商品概述

HMC903LP3E 是一款自偏置的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 伪形态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声放大器 (LNA)，具有用于降低 I_DQ 的偏置控制选项。它采用 16 引脚、3 mm x 3 mm 的 LFCSP 封装。HMC903LP3E 放大器的工作频率范围为 6 GHz 至 17 GHz，在 6 GHz 至 16 GHz 频段内提供 18.5 dB 的小信号增益和 1.7 dB 的噪声系数，全频段 6 GHz 至 17 GHz 的输出 IP3 为 25 dBm，仅需 3.5 V 电源提供的 80 mA 电流。

14.5 dBm 的 P1dB 输出功率使该 LNA 能够作为平衡混频器、I/Q 混频器或镜像抑制混频器的本振 (LO) 驱动器。HMC903LP3E 还具有直流阻断且内部匹配到 50 Ω 的输入和输出端口，使其非常适合高容量微波无线电和视频卫星 (VSAT) 应用。

应用领域

点对点无线电
点对多点无线电
测试仪器仪表

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	属性	参数值
	商品目录	RF放大器
	频率	6GHz~17GHz
	增益	18dB

	属性	参数值
	噪声系数	2.2dB
	工作电压	3.5V