TSM070NB04LCR RLG
1个N沟道 耐压:40V 电流:15A 电流:75A
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- 商品型号
- TSM070NB04LCR RLG
- 商品编号
- C5966665
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.151nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.327Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
- 开关稳压器