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TSM260P02CX6 RFG

1个P沟道耐压:20V 电流:6.5A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM260P02CX6 RFG
商品编号: C5966675
商品封装: SOT-26
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品特性

低漏源导通电阻：RDS (ON) = 0.63 Ω（典型值）
高正向传输导纳：|Yfs| = 4.8S（典型值）
低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 450V）
增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

应用领域

开关稳压器应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	6.5A
	导通电阻(RDS(on))	26mΩ@4.5V,5A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.56W
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	19.5nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.67nF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)