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TSM7ND65CI实物图
  • TSM7ND65CI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM7ND65CI

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A

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商品型号
TSM7ND65CI
商品编号
C5966710
商品封装
ITO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V,1.8A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.8V
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.124nF@50V
反向传输电容(Crss)3pF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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