TSM130NB06LCR RLG
TSM130NB06LCR RLG
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- 商品型号
- TSM130NB06LCR RLG
- 商品编号
- C5966670
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.175nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用沟槽技术制造，专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求低或对导通电阻要求低的应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 1.8V驱动
- 无铅且符合RoHS标准
- 符合无卤标准：CPH3348-TL-W
应用领域
- 负载开关-DC/DC转换器