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TSM070NH04CR RLG

1个N沟道耐压:40V 电流:54A 电流:15A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM070NH04CR RLG
商品编号: C5966667
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

快速反向恢复时间：t_rr = 80 ns（典型值）
低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.44 Ω（典型值）
易于控制栅极开关
增强模式：V_th = 3至4.5 V（VDS = 10 V， ID = 0.4 mA）

应用领域

开关稳压器-电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	54A；15A
	导通电阻(RDS(on))	7mΩ@10V,27A
	耗散功率(Pd)	15.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.6V
	栅极电荷量(Qg)	19nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.337nF@25V
	反向传输电容(Crss)	39pF@25V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)