ADRF5132BCPZN
高功率20W峰值硅单刀双掷反射开关,0.7GHz至5.0GHz
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- 描述
- ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7GHz至5.0GHz的硅单刀双掷(SPDT)开关,采用无引脚表面贴装封装。该开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用,如长期演进(LTE)基站。ADRF5132具有高功率处理能力(35dBmLTE平均典型值在105°C下)、低插入损耗(2.7GHz时为0.6dB)、输入三阶截点65dBm(典型值)和0.1dB压缩点42.5dBm。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADRF5132BCPZN
- 商品编号
- C659623
- 商品封装
- LFCSP-16(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 700MHz~5GHz | |
| 隔离度 | 50dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.9dB | |
| P1dB | 42.5dBm | |
| 工作电压 | 4.5V~5.4V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品特性
- 反射式,50 Ω设计
- 低插入损耗:2.7 GHz时典型值为0.6 dB
- 高功率处理能力(T_CASE=105℃,长期运行超过10年)
- 峰值功率:43 dBm
- 连续波功率:38 dBm
- LTE平均功率(8 dB PAR):35 dBm
- 单次事件(<10秒操作)LTE平均功率(8 dB PAR):41 dBm
- 高线性度
- P0.1dB:典型值42.5 dBm
- IP3:2.0 GHz至4.0 GHz时典型值65 dBm
- ESD等级
- HBM:2 kV,Class 2
- CDM:1.25 kV
- 单正电源:5 V
- 正控制,CMOS/TTL兼容
- 16引脚,3 mm x 3 mm LFCSP封装
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 测试设备
- 针状二极管替换
优惠活动
购买数量
(500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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