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HMC784AMS8GETR

高功率射频开关，DC-4GHz

描述: HMC784AMS8GE是一款高功率单刀双掷(SPDT)射频开关，采用8引脚MSOP封装，适用于传输接收应用。该器件在高输入信号功率水平下具有非常低的失真性能。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC784AMS8GETR
商品编号: C662119
商品封装: MSOP-8-EP
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24克(g)

商品概述

HMC784AMS8GE是一款采用8引脚MSOPG封装的高功率单刀双掷（SPDT）开关，适用于收发应用，在高输入信号功率水平下要求极低失真。该器件可控制从直流到4 GHz的信号。其设计提供了出色的互调性能；在+5V偏置下，三阶截点 >+60 dBm。当“关断”时，RF1和RF2为反射短路。片上电路允许在非常低的直流电流下，使用+3 Vdc至+8 Vdc的单正电源供电，控制输入与CMOS逻辑系列兼容。

商品特性

输入P1dB：在Vdd = +8V时为+40 dBm
高三阶截点：+60 dBm
正控制电压：+3至+8 V
低插入损耗：0.3 dB
MSOP8G封装：14.8 mm²

应用领域

蜂窝/4G基础设施
WiMAX、WiBro及固定无线通信
汽车远程信息处理系统
移动无线电
测试设备

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交货周期

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	-
	隔离度	28dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.5dB
	工作电压	3V~8V
	工作温度	-40℃~+85℃