ADRF5547BCPZN-RL

ADRF5547是一款双通道集成射频前端多芯片模块，专为工作在3.7 GHz至5.3 GHz频段的时分双工（TDD）应用而设计。ADRF5547采用双通道配置，包含一个级联的两级低噪声放大器（LNA）和一个高功率硅单刀双掷（SPDT）开关。 在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在4.6 GHz时提供低至1.6 dB的噪声系数和高达33 dB的增益，输出三阶截点（OIP3）为31 dBm（典型值）。 在低增益模式下，两级LNA中的一级处于旁路状态，以36 mA的较低电流提供18 dB的增益。在掉电模式下，LNA关闭，器件电流消耗为12 mA。 在发射操作中，当射频输入连接到端接引脚（TERM-ChA或TERM-ChB）时，开关的插入损耗低至0.50 dB，可处理长期演进（LTE）平均功率（峰均比（PAR）为9 dB），在整个使用寿命内为40 dBm，在单事件（<10秒LNA保护操作）时为43 dBm。 该器件采用符合RoHS标准的紧凑型40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装。

• 集成双通道射频前端两级LNA和高功率SPDT开关
• 片上偏置和匹配
• 单电源供电
• 增益：高增益模式：在4.6 GHz时典型值为33 dB；低增益模式：在4.6 GHz时典型值为18 dB
• 低噪声系数：高增益模式：在4.6 GHz时典型值为1.6 dB；低增益模式：在4.6 GHz时典型值为1.6 dB
• 高通道间隔离度：RxOUT-ChA和RxOUT-ChB之间：典型值为45 dB；TERM-ChA和TERM-ChB之间：典型值为53 dB
• 低插入损耗：在4.6 GHz时典型值为0.50 dB
• 在Γ̅CASE = 105℃时具有高功率处理能力：全寿命LTE平均功率（PAR为9 dB）：40 dBm；单事件（ζ < 10秒操作）LTE平均功率（PAR为9 dB）：43 dBm
• 高OIP3：典型值为31 dBm
• LNA具有掉电模式和低增益模式
• 低电源电流：高增益模式：在5 V时典型值为86 mA；低增益模式：在5 V时典型值为36 mA；掉电模式：在5 V时典型值为12 mA
• 正逻辑控制
• 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装

• 无线基础设施
• TDD大规模多输入多输出（MIMO）和有源天线系统
• 基于TDD的通信系统