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APL502B2G
1个N沟道 耐压:500V 电流:58A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APL502B2G
- 商品编号
- C5944503
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 730W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
线性MOSFET针对在高压和大电流可能在接近直流条件(>100毫秒)下同时出现的线性区域工作的应用进行了优化。
商品特性
- 更高的正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 常用的T-MAX或TO-264封装
- 更高的功率耗散
- 符合RoHS标准