商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 168mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.259nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了较低的导通损耗和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- TO - 247或表面贴装D³PAK封装
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