APT29F100B2
1个N沟道 耐压:1kV 电流:30A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT29F100B2
- 商品编号
- C5948942
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.04kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的120 W LDMOS功率晶体管，在1805 MHz至1995 MHz频率范围内具有增强的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 去耦引脚可增强视频带宽性能（典型值75 MHz）
- 专为宽带运行设计（1805 MHz至1995 MHz）
- 较低的输出电容，可提高在多尔蒂应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
适用于1805 MHz至1995 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器