商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.136kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 492nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.4nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AOT20S60L、AOB20S60L、AOTF20S60L和AOTF20S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并且保证了雪崩能力，因此能够快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 高耐用性
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 功率连接器
- 高集成度
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正
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