商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 860A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,275A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 60nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单