温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 最高结温175 °C
- 低导通电阻RDS(on)，可最大程度降低传导功耗
- 与逻辑电平栅极驱动兼容
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电池保护
- 电机驱动控制
- 负载开关