- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 415pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 505pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-最新先进沟槽技术-低导通电阻RDS(ON)-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
- 绿色环保产品
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池充放电保护