AOWF7S65
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 434pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@100V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
AOT7S60、AOB7S60和AOTF7S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储存能量（EOSS），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。