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AOZ5332QI
高电流、高性能DrMOS电源模块
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- 描述
- 是一种高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举二极管集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚排列也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOZ5332QI
- 商品编号
- C5943984
- 商品封装
- QFN-31(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) | |
| 类型 | MOSFET | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 高侧偏置电压(Vbs) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开关频率 | 2MHz | |
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 功能特性 | 过温保护带迟滞；欠压锁定带迟滞；带使能 |