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AOTF7N60FD
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反馈电容（Ciss）以及有保证的雪崩能力，该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF7N60FD
- 商品编号
- C5943961
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 995pF@600V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF@600V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW7S65和AOWF7S65采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），以及保证的雪崩能力，这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。