AOI7N60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.5-V 栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：
- RDS(ON) = 99.6 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.5 V）
- RDS(ON) = 67.8 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.8 V）
- RDS(ON) = 51.4 mΩ（最大值）（@ VGS = -2.5 V）
- RDS(ON) = 42.7 mΩ（最大值）（@ VGS = -4.5 V）
应用领域
- 电源管理开关