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AOB66916L
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A 电流:35.5A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB66916L
- 商品编号
- C5943913
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.5A；120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 277W；8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.18nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperMESH™ 系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用场景下具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压功率 MOSFET 全产品线，其中包括具有革新意义的 MDmesh™ 产品。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷极小化
- 全新的高压基准
应用领域
-高频开关和同步整流-电池管理系统(BMS)-电机