商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 620mW；77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- SXT11410DC48-32.000M
- STG2EE-53
- STGFL6NC60D
- STGIPS10K60A2
- STGIPS15C60
- SXT11410DD16-27.120M
- STGW30NC60W
- SXT11410DD16-30.000M
- STH11K33F17-38.400M
- SXT11410DD17-32.000M
- STH11K33F38-26.000M
- STH11K33F38-38.400M
- SXT11410DD38-27.120M
- STH11K33O16-38.400M
- SXT11410DD38-38.400M
- STH11K33P07-38.400M
- SXT11410DD48-38.400M
- STH11K33P16-26.000M
- STH11K33Q16-38.400M
- STH11K33R27-26.000M
- STH21K33F07-32.000M