STU8NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU8NM50N
- 商品编号
- C5931946
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 790mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻：Ron = 3.60 Ω（最大值）（@VGS = -1.5 V）
- Ron = 2.70 Ω（最大值）（@VGS = -1.8 V）
- Ron = 1.60 Ω（最大值）（@VGS = -2.8 V）
- Ron = 1.31 Ω（最大值）（@VGS = -4.5 V）
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