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SSM3J145TU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 260 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 180 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 132 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 103 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J145TU,LF
- 商品编号
- C5930492
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用低热阻封装
- 通过 AEC-Q101 认证
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC