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SSM6K341NU,LF
硅N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：4.0V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值，VGS = 10V）；RDS(ON) = 36mΩ（典型值，VGS = 4.5V）；RDS(ON) = 43mΩ（典型值，VGS = 4V）。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K341NU,LF
- 商品编号
- C5930519
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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