SSM6K341NU,LF
硅N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值,VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值,VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值,VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K341NU,LF
- 商品编号
- C5930519
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品特性
- 4.0 V驱动
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(@ VGS = 10 V);RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 43 mΩ(典型值)(@ VGS = 4 V)
应用领域
- 电源管理开关
- 直流-直流转换器
- SSM6N813R,LF
- SSM6P36FE,LM
- SSW-107-22-S-S-VS-006
- SSW-107-22-SM-D-VS
- SSP1A125M7T
- SSW-107-23-G-D
- SSP1A150M7T
- SSW-107-23-S-D-RA-012
- SSP1A490M7T
- SSW-108-01-F-D
- SSP3A250B7T
- SSW-108-01-G-T-LL
- SSP3A250BD
- SSW-108-01-G-T-LL-001
- SSW-108-01-H-T
- SSQ-101-01-G-T
- SSW-108-01-L-S
- SSQ-101-02-F-S-RA
- SSQ-101-02-L-S
- SSQ-101-02-T-D-RA
- SSW-108-02-H-D-RA


