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SSM6N813R,LF
N沟道 耐压:100V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 88 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N813R,LF
- 商品编号
- C5930520
- 商品封装
- TSOP-6F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 154mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 242pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 175°C MOSFET
- 4.5V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 110 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 88 mΩ(典型值)(@VGS = 10V)
应用领域
- 电源管理开关
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