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SSM3J15FU,LF
1个P沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：小封装。 低导通电阻：Rₒₙ = 12Ω（最大值）(V_GS =-4V)；Rₒₙ = 32Ω（最大值）(V_GS =-2.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J15FU,LF
- 商品编号
- C5930494
- 商品封装
- SC-70(SOT-323)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@4V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.6pF |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 因降低Qrr而实现低开关损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 发光二极管（LED）
- 消费电子和计算机领域
- ATX电源
- 工业领域
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）
- LLC谐振变换器
- 移相全桥（ZVS）
- 三电平逆变器
- 交直流桥